アセンブリ技術

後工程の核となる『パッケージング技術』において高い評価を得ており独自の『生産技術』と豊かな経験に基づく少ピン小型低背パッケージを軸にお客様の多様なニーズにお応えします。
また、各種環境規制に対応した鉛フリーなど環境対応も万全です。

お客様より支給していただいたウェハで当社ではSiウェハ、GaAsウェハの両方の加工技術を有しております。
SiウェハについてはブレードダイシングGaAsウェハについてはポイントスクライブによるカット方式を採用しており高歩留まりでの作業が可能であります。
又、自動外観装置によりペレット検査も可能です。

• ウェハサイズ
• Max:８インチΦ
• ウェハ材質
• 　Si/GaAs

熱硬化による接合、ペーストによる接合、金属材料による接合技術を有しており、お客様のニーズに合わせた高精度ダイボンディングが可能です。
また、薄小チップ対応が弊社の技術の特徴です。

チップサイズ

Min:0.27×0.23ｍｍ/Max:5.7×1.0ｍｍ

ダイボンド精度

ｘ:±38um/ｙ:±38um

ダイボンド材料

Agペースト/AuSnソルダー/PhSnソルダー

自動によるNTCボンディングが主流であります。
線形小が弊社の特徴であり、Au、Ag、Cuワイヤを使用したワイヤボンディング技術を提供できます。